内存时序是什么意思 内存时序高好还是低好?

内存时序是什么意思?

内存时序是描述内存条性能的一种参数,一般存储在内存条的SPD中,简称为CL值,它是内存的重要参数之一,某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。目前,一般好一些的内存条,在参数中都会标注CL值,如下图所示。

内存参数

当然,也有不少内存,在参数中并没有时序这一项,而是标注在内存条的标签上。此外,内存时序有些也可以在电脑BIOS中手动设置。一般在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”进行相关设置。

内存时序高好还是低好?

内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是tRAS(Activeto Precharge Delay),预充电后,内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后,RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。

首先是行地址,然后初始化tRCD,周期结束,接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤,也是内存参数中最重要的。

一般来说,在保证系统稳定性以及同频率的前提下,时序越低,性能越好。

总的来说,时序是决定内存性能的一个参数,但并不是说时序越低,性能就一定越好,它还与内存容量、频率有关。只能说,在相同容量和频率下的两条内存,时序越低,性能就越好。

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